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參數(shù)資料
| 型號： | MSM51V18160D |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 1M×16 Dynamic RAM(1M×16動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬× 16動態(tài)RAM（100萬× 16動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | MSM51V18160D |
Semiconductor
MSM51V18160D/DSL
7/16
AC Characteristics (2/2)
MSM51V18160
D/DSL-60
MSM51V18160
D/DSL-70
MSM51V18160
D/DSL-50
Write Command Pulse Width
OE
Command Hold Time
Write Command to
CAS
Lead Time
Data-in Set-up Time
Data-in Hold Time
OE
to Data-in Delay Time
Write Command to
RAS
Lead Time
CAS
to
WE
Delay Time
Column Address to
WE
Delay Time
RAS
to
WE
Delay Time
CAS
Precharge
WE
Delay Time
RAS
to
CAS
Hold Time (
CAS
before
RAS
)
RAS
Pulse Width
(
CAS
before
RAS
Self-Refresh)
RAS
Precharge Time
(
CAS
before
RAS
Self-Refresh)
CAS
Hold Time
(
CAS
before
RAS
Self-Refresh)
CAS
Active Delay Time from
RAS
Precharge
RAS
to
CAS
Set-up Time (
CAS
before
RAS
)
Write Command Hold Time
(V
CC
= 3.3 V ±0.3 V, Ta = 0°C to 70°C) Note 1, 2, 3
Write Command Set-up Time
t
WP
t
OEH
t
CWL
t
DS
t
DH
t
OED
t
RWL
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
CPWD
t
CHR
t
RPC
t
CSR
t
WCH
t
WCS
Min.
0
Max.
—
Parameter
Symbol
Unit Note
Min.
0
Max.
—
Min.
0
Max.
—
13
10, 11
10, 11
9
9
9
9
11
12
11
11
9, 11
10
15
15
0
10
15
15
40
55
85
60
10
10
5
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
13
0
7
13
13
36
48
73
53
10
10
5
7
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
20
20
0
15
20
20
50
65
100
70
10
10
5
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
t
RASS
15
100
—
m
s
100
—
100
—
t
RPS
15
110
—
ns
90
—
130
—
t
CHS
15
–50
—
ns
–50
—
–50
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MSM51V18165B | 1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MSM51V18160F-60T3K-MT | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MSM51V18160F60TSKR1 | 制造商:OK International 功能描述: |
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