參數(shù)資料
型號(hào)： MTB75N03HDL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大小： 256K
代理商： MTB75N03HDL
MTB75N03HDL
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
r(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
RθJA = 50°C/W
Board material = 0.065 mil FR4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size
≈ 450 mils x 350 mils
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t, TIME (s)
1.0
0.1
0.01
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTB75N03HDLT4 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB75N06HDT4 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB75N06HD 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB75N06HDT4 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTC-8301-CJ-I 8-BIT, 10 MHz, RISC MICROCONTROLLER, CQCC44
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參數(shù)描述
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MTB75N05HDT4 功能描述:MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTB75N06 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS
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