參數(shù)資料
型號(hào)： MTD3302
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 278K
代理商： MTD3302
MTD3302
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
10
20
60
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
26
0
20
50
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
3
24
10
0
0.2
0.3
010
20
60
0.020
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. OnResistance versus
GateToSource Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
2.0
510
15
30
1
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
VDS ≥ 10 V
TJ = 125°C
55
°C
TJ = 25°C
VGS = 0 V
ID = 5.0 A
TJ = 25°C
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
ID = 10 A
3
3.5
68
10 V
50
25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 125°C
1.0
10
20
25
100
°C
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
0.25
0.5
1.25
1
1.5
2
30
10
40
60
0.002
0.004
0
0.5
0
0.1
30
25
°C
0.75
1.75
TJ = 25°C
6.0 V
2.5
30
25
°C
57
9
40
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
4.3 V
4.1 V
3.9 V
VGS = 10 V
3.5 V
3.3 V
3.1 V
40
50
3.7 V
4.5 V
4
4.5
5
5.5
50
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