參數(shù)資料
型號(hào)： MTP23P06V
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM
中文描述： 23 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： MTP23P06V
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
30
35
2
3
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
4
8
0
5
10
15
40
ID
Figure 2. Transfer Characteristics
0
5
10
15
20
25
0.14
0.02
0.04
0.06
0.12
R
0
5
10
15
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
20
30
0.08
0.085
0.09
0.095
0.11
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
–50
0
0.2
0.4
0.6
1.8
0
10
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
20
30
40
1
50
10
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
TJ = 125
°
C
15 V
–25
0
25
50
75
100
150
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = –55
°
C
25
°
C
100
°
C
TJ = 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 0 V
VGS = 10V
VGS = 10 V
VGS = 10 V
VGS = 10 V
ID = 11.5 A
40
50
7 V
6 V
5 V
4 V
8 V
9 V
20
25
5
6
7
0.08
0.1
30
0.1
0.105
25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
125
60
0.16
35
40
45
35
40
45
50
0.115
0.12
175
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP33N10E TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
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參數(shù)描述
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MTP24K11 功能描述:插線板 1DC PANEL 11 UNWIR RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48
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MTP24K7 功能描述:插線板 7 X 6 UNWRD IDC WA RoHS:否 制造商:Switchcraft 產(chǎn)品類型:Bantam (TT) 正規(guī)化: 高度/機(jī)架數(shù)量: 深度: 端接類型: 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:48
MTP2603G6 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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