參數(shù)資料
型號(hào)： MTP6N10
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 6 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： MTP6N10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP6N60E TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
MTP6P20E TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
MTP75N05HD TMOS POWER FET 75 AMPERES RDS(on) = 9.5 mW 50 VOLTS
MTP75N05HD Power MOSFET 75 Amps, 50 Volts
MTP75N06HD TMOS POWER FET 75 AMPERES RDS(on) = 10.0 mOHM 60 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTP6N60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
MTP6N60E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
MTP6P20E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTP75 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 75A
MTP75A 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A
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