型號(hào): | MTP6N60E |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類(lèi): | JFETs |
英文描述: | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS |
中文描述: | 6 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件頁(yè)數(shù): | 8/8頁(yè) |
文件大小: | 156K |
代理商: | MTP6N60E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MTP6P20E | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM |
MTP75N05HD | TMOS POWER FET 75 AMPERES RDS(on) = 9.5 mW 50 VOLTS |
MTP75N05HD | Power MOSFET 75 Amps, 50 Volts |
MTP75N06HD | TMOS POWER FET 75 AMPERES RDS(on) = 10.0 mOHM 60 VOLTS |
MTP7N20E | TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MTP6P20E | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
MTP75 | 制造商:NELLSEMI 制造商全稱(chēng):Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
MTP75A | 制造商:NELLSEMI 制造商全稱(chēng):Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
MTP75D | 制造商:NELLSEMI 制造商全稱(chēng):Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A |
MTP75N03HDL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB |