參數(shù)資料
型號(hào)： MTSF3203
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： SINGLE TMOS POWER MOSFET 4.9 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.05 OHM
中文描述： 功率MOSFET單任務(wù)操作系統(tǒng)4.9安培20伏特的RDS（on）\u003d 0.05歐姆
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 134K
代理商： MTSF3203
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 1:
PIN 1. SOURCE
2. SOURCE
3. SOURCE
4. GATE
5. DRAIN
6. DRAIN
7. DRAIN
8. DRAIN
CASE 846A–02
ISSUE D
MICRO8
S
B
M
0.08 (0.003)
A
S
T
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
MIN
2.90
2.90
–––
0.25
0.65 BSC
0.05
0.13
4.75
0.40
MAX
3.10
3.10
1.10
0.40
MIN
0.114
0.114
–––
0.010
0.026 BSC
0.002
0.005
0.187
0.016
MAX
0.122
0.122
0.043
0.016
INCHES
MILLIMETERS
0.15
0.23
5.05
0.70
0.006
0.009
0.199
0.028
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH,
PROTRUSIONS OR GATE BURRS SHALL NOT
EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD
FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR
PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010)
PER SIDE.
–B–
–A–
D
K
G
PIN 1 ID
8 PL
0.038 (0.0015)
–T–
SEATING
C
H
J
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTV10N100E TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
MTV20N50E TMOS POWER FET 20 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.240 OHM
MTV6N100E TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
MTW33N10E TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
MTW7N80E TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTSF3N02HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER MOSFET 4.0 AMPERES 20 VOLTS RDS(on) = 0.040 OHM
MTSF3N02HDR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.1A 8-Pin Micro T/R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MTSF3N03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SINGLE TMOS POWER MOSFET 3.8 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.040 OHM
MTSF3N03HDR2 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 8-Pin SOP T/R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MTSF3N03HDR2G 功能描述:MOSFET NFET 30V 3A 40MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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