參數(shù)資料
型號(hào)： MUBW4-12A6
英文描述： TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 3.6A I(C)
中文描述： 晶體管| IGBT功率模塊|絡(luò)合物橋| 1.2KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 3.6AI（丙）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： MUBW4-12A6
1999 IXYS All rights reserved
5-8
MUBW 4-12 A6
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
10
1
0
50
100
150
200
250
300
2
3
4
5 6 7 ms
t
1
10
200
400
600
A
2
s
100
1000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
10
20
30
40
50
I
2
t
I
FSM
A
I
F
A
V
s
V
Forward characteristics
Surge overload current
I
FSM
: crest value, t: duration
I
2
t
versus time (1-10 ms)
typ. lim.
T
VJ
= 180°C
T
VJ
= 25°C
50Hz, 80%V
RRM
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 180°C
V
R
= 0 V
T
VJ
=45°C
T
VJ
=180°C
Input Rectifier Bridge D8 - D13
Transient thermal resistance junction to heatsink
(Z
is measured using 50 μm
thermal grease)
Z
thJH
[K/W]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
D = 0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
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