型號(hào): | MUN21xxRT1 |
廠商: | 樂山無(wú)線電股份有限公司 |
英文描述: | Bias Resistor Transistor |
中文描述: | 偏置電阻晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/10頁(yè) |
文件大?。?/td> | 578K |
代理商: | MUN21XXRT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MUN5312DW1T3 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
MUNICH128X | Protocol Controller |
MUR1605CTR | COMMON ANODE DIODE ARRAY|TO-220AB |
MUR1615CTR | COMMON ANODE DIODE ARRAY|TO-220AB |
MUS400 | Fuse |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MUN21XXT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
MUN2211 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
MUN2211_09 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
MUN2211JT1 | 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
MUN2211JT1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |