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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN5213DW1T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | MUN5213DW1T1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted, common for Q1 and Q2)
(Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MUN5230DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5233DW1T1
VOH
4.9
—
—
Vdc
Input Resistor
MUN5211DW1T1
MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
k
Resistor Ratio MUN5211DW1T1/MUN5212DW1T1/MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1/MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1/MUN5231DW1T1/MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
0.038
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
0.047
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
0.056
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 833
°
C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5233DW1T1 | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
| MUN5214DW1T1 | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
| MUN5215DW1T1 | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
| MUN5216DW1T1 | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
| MUN5234DW1T1 | Dual Bias Resistor Trasnsistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5213DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5213DW1T3G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5213T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5213T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5213TI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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