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參數(shù)資料
| 型號： | MUN52xxDW1T1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Dual Bias Resistor Transistors |
| 中文描述： | 雙偏置電阻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 199K |
| 代理商： | MUN52XXDW1T1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
MUN5211dw–7/8
MUN5211DW1T1 Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS – MUN5213DW1T1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. V
CE(sat)
versus I
C
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Output Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. DC Current Gain
V
I
C
,
V
C
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Output Current versus Input oltage
10
1
0.1
0.01
0
20
40
50
h
F
1000
100
10
1
10
100
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
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9
10
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN52xxDW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5211DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5237DW1T1 | Dual Bias Resistor Transistors |
| MUR120-B | 1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| MUR120-T | 1.0A SUPER-FAST GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN52XXT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5311DW | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5311DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5311DW1T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5311DW1T1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
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