- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359238 > MUN5312DW1T3 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MUN5312DW1T3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 363 |
| 文件頁數(shù)： | 11/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 764K |
| 代理商： | MUN5312DW1T3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUNICH128X | Protocol Controller |
| MUR1605CTR | COMMON ANODE DIODE ARRAY|TO-220AB |
| MUR1615CTR | COMMON ANODE DIODE ARRAY|TO-220AB |
| MUS400 | Fuse |
| MUS750 | Fuse |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5313DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor NPNPNP Silicon |
| MUN5313DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5313DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR DUAL 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5314DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor NPNPNP Silicon |
| MUN5314DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Bias Resistor Transistors |
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