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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX0912B251Y |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 封裝： | MX0912B251Y<SOT439A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT439A.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | MX0912B251Y |
1997 Feb 19
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
MX0912B251Y
List of components
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE NO.
L1, L2
0.65 mm diameter copper wire
total length = 12 mm;
height of loop = 9 mm
int. diameter 3 mm;
L = 5 mm
L3
4 turns 0.65 mm diameter
copper wire
DC block
tantalum capacitor
electrolytic capacitor
feedthrough bypass capacitor
variable gigatrim capacitor
C1
C2
C3
C4
C5, C6
100 pF
10
μ
F; 50 V
470
μ
F; 63 V
ATC, ref. 100A101KP50X
Erie, ref. 1250-003
Tekelec, ref. 729.1
0.8 to 8 pF
Fig.5 Pulse definition.
handbook, full pagewidth
MGK066
300
μ
s
1
μ
s
1
μ
s
3 ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y | NPN microwave power transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX0912B251Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B251Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| MX0912B351Y TRAY | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MX0912B351Y,114 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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