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參數資料
| 型號： | MX29F004TTI-90 |
| 元件分類： | EEPROM |
| 英文描述： | EEPROM |
| 中文描述： | EEPROM的 |
| 文件頁數： | 17/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | MX29F004TTI-90 |
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17
REV. 2.3, JUL. 09, 2002
P/N: PM0515
MX29F001T/B
AC CHARACTERISTICS
VCC = 5V
±
5% for MX29F001T/B-55
29F001T/B-55
SYMBOL PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
tOES
OE setup time
0
ns
tCWC
Command programming cycle
70
ns
tCEP
WE programming pulse width
45
ns
tCEPH1
WE programming pulse width High
20
ns
tCEPH2
WE programming pulse width High
20
ns
tAS
Address setup time
0
ns
tAH
Address hold time
45
ns
tDS
Data setup time
20
ns
tDH
Data hold time
0
ns
tCESC
CE setup time before command write
0
ns
tDF
Output disable time (Note 1)
20
ns
tAETC
Total erase time in auto chip erase
3(TYP.)
24
s
tAETB
Total erase time in auto sector erase
1(TYP.)
8
s
tAVT
Total programming time in auto verify
7
210
us
tBAL
Sector address load time
100
us
tCH
CE Hold Time
0
ns
tCS
CE setup to WE going low
0
ns
tVLHT
Voltage Transition Time
4
us
tOESP
OE Setup Time to WE Active
4
us
tWPP
Write pulse width for chip protect
10
us
tWPP2
Write pulse width for chip unprotect
12
ms
NOTES:
1. tDF defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer driven.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F004TTI-70 | EEPROM |
| MX29F004TTI-55 | EEPROM |
| MX29F004TTI-12 | EEPROM |
| MX29F004TTC-55 | EEPROM |
| MX29F004TQI-90 | EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MX29F016 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29F016MC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29F016MC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29F016MI-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29F016MI-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
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