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參數(shù)資料
| 型號： | MXD1210CSA |
| 廠商： | Maxim Integrated |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC CNTRLR NONVOLATILE RAM 8-SOIC |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 標準包裝： | 100 |
| 控制器類型： | 非易失性 RAM |
| 電源電壓： | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1425 (CN2011-ZH PDF) |
MXD1210
Nonvolatile RAM Controller
_______________________________________________________________________________________
3
Note 1: Only one battery input is required. Unused battery inputs must be grounded.
Note 2: ICCO1 is the maximum average load current the MXD1210 can supply to the memories.
Note 3: ICCO2 is the maximum average load current the MXD1210 can supply to the memories in battery-backup mode.
Note 4:
CEO can sustain leakage current only in battery-backup mode.
Note 5: Guaranteed by design.
Note 6: tCE max must be met to ensure data integrity on power loss.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Battery-Backup Mode
(VCCI < VBATT, positive edge rate at VBATT1, VBATT2 > 0.1V/s, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
MXD1210C/E
2
100
nA
Quiescent Current (Note 1)
IBATT
VCCO, CEO open,
VCCI = 0V
MXD1210M
5
A
Output Supply Current
ICCO2
VBATT - VCCO
≤ 0.2V (Notes 3, 4)
300
A
CEO Output Voltage
VO
Output open
VBATT -
0.2
V
CAPACITANCE
(TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.) (Note 5)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
CIN
5pF
Output Capacitance
COUT
7pF
VCC POWER TIMING CHARACTERISTICS
(VCCI = +4.75V to +5.5V, TOL = GND; or VCCI = +4.5V to +5.5V, TOL = VCCO, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
MXD1210C
5
10
20
MXD1210E
5
10
22
CE Propagation Delay
tPD
RL = 1k
Ω, CL = 50pF
MXD1210M
5
10
25
ns
CE High to Power-Fail
tPF
(Note 5)
0
ns
TIMING CHARACTERISTICS
(VCCI
< +4.75V to +5.5V, TOL = GND; or VCCI < +4.5V, TOL = VCCO, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Recovery at Power-Up
tREC
25
20
ms
tF
To out-of-tolerance condition
300
VCC Slew-Rate Power-Down
tFB
Tolerance to battery power
10
s
VCC Slew-Rate Power-Up
tR
0s
CE Pulse Width
tCE
(Note 6)
1.5
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-2WR-CX | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W |
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| EN95F2X2 | BATTERY PK 6.0V D SIZE ALKALINE |
| MXD1210CWE+T | IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MXD1210CSA+ | 功能描述:存儲器控制器 Nonvolatile RAM Controller RoHS:否 制造商:Maxim Integrated |
| MXD1210CSA+T | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM（SRAM） 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
| MXD1210CSA-T | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲（典型值）:10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |
| MXD1210CWE | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲（典型值）:10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |
| MXD1210CWE+ | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM（SRAM） 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
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