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參數(shù)資料
型號: MXD1210CWE+T
廠商: Maxim Integrated
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 0K
描述: IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC
產(chǎn)品培訓模塊: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標準包裝: 1,000
控制器類型: 非易失性 RAM
電源電壓: 4.75 V ~ 5.5 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC W
包裝: 帶卷 (TR)
MXD1210
Nonvolatile RAM Controller
6
_______________________________________________________________________________________
VIH
tPD
tR
tREC
VBATT - 0.2V
VCCI
CEO
CE
4.75V
4.5V
4.25V
Figure 2. Power-Up Timing Diagram
VIH
VIL
tCE
tFB
tPF
tF
tPD
VCCI
CEO
CE
4.75V
4.5V
4.25V
3V
VBATT - 0.2V
Figure 3. Power-Down Timing Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MXD1210CSA+T IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC
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參數(shù)描述
MXD1210EPA 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel
MXD1210EPA+ 功能描述:存儲器控制器 Nonvolatile RAM Controller RoHS:否 制造商:Maxim Integrated
MXD1210ESA 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數(shù): 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關(guān):No Backup 上電復位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel
MXD1210ESA+ 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件
MXD1210ESA+T 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件