參數(shù)資料
型號(hào)： MXD1210CWE
廠商： Maxim Integrated
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC CNTRLR NONVOLATILE RAM 16SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 46
控制器類型： 非易失性 RAM
電源電壓： 4.75 V ~ 5.5 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC W
包裝： 管件
MXD1210
Nonvolatile RAM Controller
_______________________________________________________________________________________
3
Note 1: Only one battery input is required. Unused battery inputs must be grounded.
Note 2: ICCO1 is the maximum average load current the MXD1210 can supply to the memories.
Note 3: ICCO2 is the maximum average load current the MXD1210 can supply to the memories in battery-backup mode.
Note 4:
CEO can sustain leakage current only in battery-backup mode.
Note 5: Guaranteed by design.
Note 6: tCE max must be met to ensure data integrity on power loss.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Battery-Backup Mode
(VCCI < VBATT, positive edge rate at VBATT1, VBATT2 > 0.1V/s, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
MXD1210C/E
2
100
nA
Quiescent Current (Note 1)
IBATT
VCCO, CEO open,
VCCI = 0V
MXD1210M
5
A
Output Supply Current
ICCO2
VBATT - VCCO
≤ 0.2V (Notes 3, 4)
300
A
CEO Output Voltage
VO
Output open
VBATT -
0.2
V
CAPACITANCE
(TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.) (Note 5)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
CIN
5pF
Output Capacitance
COUT
7pF
VCC POWER TIMING CHARACTERISTICS
(VCCI = +4.75V to +5.5V, TOL = GND; or VCCI = +4.5V to +5.5V, TOL = VCCO, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
MXD1210C
5
10
20
MXD1210E
5
10
22
CE Propagation Delay
tPD
RL = 1k
Ω, CL = 50pF
MXD1210M
5
10
25
ns
CE High to Power-Fail
tPF
(Note 5)
0
ns
TIMING CHARACTERISTICS
(VCCI
< +4.75V to +5.5V, TOL = GND; or VCCI < +4.5V, TOL = VCCO, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Recovery at Power-Up
tREC
25
20
ms
tF
To out-of-tolerance condition
300
VCC Slew-Rate Power-Down
tFB
Tolerance to battery power
10
s
VCC Slew-Rate Power-Up
tR
0s
CE Pulse Width
tCE
(Note 6)
1.5
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VE-B3R-EU-B1 CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 200W
T86D336K016EBAL CAP TANT 33UF 16V 10% 2917
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參數(shù)描述
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MXD1210EPA+ 功能描述:存儲(chǔ)器控制器 Nonvolatile RAM Controller RoHS:否 制造商:Maxim Integrated
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