參數(shù)資料
型號(hào)： MXSMBG28CAE3TR
廠商： MICROSEMI CORP-IRELAND
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 289K
代理商： MXSMBG28CAE3TR
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
Website: http://www.microsemi.com
___________________________________________________________________________________________________________________________________
RF01000 Rev A, June 2010
High Reliability Product Group
Page 2 of 4
MECHANICAL AND PACKAGING
Void-free transfer molded thermosetting epoxy body meeting UL94V-0
Gull-wing or J-bend tin-lead (90 % Sn, 10 % Pb) or RoHS (100 % Sn) compliant annealed matte-tin plating
solderable per MIL-STD-750, method 2026
Cathode indicated by band (No cathode band on bi-directional devices)
Part number marked on package
Available in bulk or custom tape-and-reel packaging
TAPE-AND-REEL option available with up to 750 devices on 7 inch reel or up to 2500 devices on 13 inch reel per
EIA-481-1-A with 12 mm tape.
Add “TR” suffix to part number.
Weight: 0.1 gram (approximately)
PACKAGE DIMENSIONS
PAD LAYOUT
DIMENSIONS IN INCHES
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
SMBJ (DO-214AA)
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
SMBG (DO-215AA)
INCHES
mm
A
.320
8.13
B
.085
2.16
C
.110
2.79
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
Symbol
Definition
VWM
Working Peak (Standoff) Voltage
IPP
Peak Pulse Current
PPP
Peak Pulse Power
VC
Clamping Voltage
VBR
Breakdown Voltage
IBR
Breakdown Current for VBR
ID
Standby Current
SMBJ
SMBG
(DO-214AA)
(DO-215AA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MXSMBG30ATR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MXSMBG33AE3 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MXSMBG33CAE3 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MXSMBG33CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MXSMBG33CATR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MXSMBG2K3.0 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA
MXSMBG2K3.0E3 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA，SMB 鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:SMBG（DO-215AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MXSMBG2K3.3 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:3.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA，SMB 鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:SMBG（DO-215AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MXSMBG2K3.3E3 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:3.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:4.6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:5.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:2000W（2kW） 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA，SMB 鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:SMBG（DO-215AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MXSMBG2K4.0 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 2KW UNIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA
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