參數(shù)資料
型號： MXSMBJ90CAE3TR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： MXSMBJ90CAE3TR
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170A, CA, e3
and SMBG5.0 thru SMBG170A, CA, e3
SMB5.0–
170AC,
e3
GRAPHS
50
30
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
TC = 25
oC
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μs, tw=1000 μs
tw – Pulse Width -
μs
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
FIGURE 3 -
Derating Curve
FIGURE 4
Typical Capacitance vs Breakdown Voltage
PAD LAYOUT
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2005
8-04-2005 REV G
PACKAGE DIMENSIONS
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
A
B
C
D
E
F
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
SMBJ
SMBG
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSPSMBG54A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MSPSMBG6.5 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MSPSMBG60 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MSPSMBJ22 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
MSPSMBJ43CTR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MXSMBJ964B 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER DIODE, 13V, SURFACE MOUNT - DO215AA/DO214AA PACKAGE - Bulk
MXSMBJSAC12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA
MXSMBJSAC12E3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA
MXSMBJSAC15 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:15V 電壓 - 擊穿（最小值）:16.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:30pF @ 1MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MXSMBJSAC15E3 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:15V 電壓 - 擊穿（最小值）:16.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:30pF @ 1MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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