參數(shù)資料
型號： MXSMBJP6KE8.2C
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 560K
代理商： MXSMBJP6KE8.2C
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2004
6-16-2004 REV A
W
.Mi
cr
os
em
i
.C
O
M
SCOTTSD A L E DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA
SMBJ(G)P6KE6.8-200A
BREAKDOWN VOLTAGE
V(BR)
Min.
Nom.
Max.
TEST
CURRENT
I(BR)
RATED
STANDOFF
VOLTAGE
VWM
MAX
STANDBY
CURRENT
ID @ VWM
MAX
CLAMPING
VOLTAGE
VC @ IPP
PEAK PULSE
CURRENT
IPP
TEMPERATURE
COEFFICIANT
of
V(BR)
αV(BR)
MICROSEMI
PART
NUMBER
(add SMBJ or
SMBG prefix)
VDC
mA
V
A
V
A
% /
oC
P6KE100
P6KE100A
P6KE110
P6KE110A
90
95
99
105
100
110
105
121
116
1
81
85.5
89.2
94
1
144
137
158
152
4.2
4.4
3.8
3.4
.106
.107
P6KE120
P6KE120A
P6KE130
P6KE130A
108
114
117
124
120
130
132
126
143
137
1
97.2
102
105
111
1
173
165
187
179
3.5
3.6
3.2
3.3
.107
P6KE150
P6KE150A
P6KE160
P6KE160A
135
143
144
152
150
160
165
158
168
1
121
128
130
136
1
215
207
230
219
2.8
2.9
2.6
2.7
.108
P6KE170
P6KE170A
P6KE180
P6KE180A
153
161
162
171
170
180
187
179
198
189
1
138
145
146
154
1
244
234
258
246
2.5
2.6
2.3
2.4
.108
P6KE200
P6KE200A
180
190
200
220
210
1
162
171
1
287
274
2.1
2.2
.108
Consult factory for higher voltages.
For Bidirectional construction, indicate a C or CA suffix after part number, i.e. SMBJP6KE200CA. Capacitance will be one-half that shown in Figure 4.
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
Symbol
Definition
VWM
Working Peak (Standoff) Voltage
IPP
Peak Pulse Current
PPP
Peak Pulse Power
VC
Clamping Voltage
V(BR)
Breakdown Voltage
I(BR)
Breakdown Current for V(BR)
ID
Standby Current
GRAPHS
P
PP
–
Peak
Pulse
Po
w
er
–
kW
TC = 25
oC
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
1000
10,000
Test waveform parmeters: tr=10
s, tp=1000 s
tw – Pulse Width -
s
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MASMBGP6KE100TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE170 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE62CATR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE75C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBGP6KE8.2TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MXSMBJSAC12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA
MXSMBJSAC12E3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA
MXSMBJSAC15 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:15V 電壓 - 擊穿（最小值）:16.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:30pF @ 1MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
MXSMBJSAC15E3 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:15V 電壓 - 擊穿（最小值）:16.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:30pF @ 1MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
MXSMBJSAC18 功能描述:TVS DIODE 18VWM 28.8VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:18V 電壓 - 擊穿（最小值）:20V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:28.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:15A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:30pF @ 1MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1
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