參數(shù)資料
型號： MZ0912B50Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： NPN microwave power transistors
封裝： MZ0912B50Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 1/12頁
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代理商： MZ0912B50Y
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of November 1994
1997 Feb 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MZ0912B50Y
NPN microwave power transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
P-10-50R-0-CMC FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontroller, -40C to +125C, 20-SSOP 208mil, T/R
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MZ0912B50Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ0912B50Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ1.0GD100V-2.5 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
MZ1.0GD10V-25 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
MZ1.0GD11V-23 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
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