參數(shù)資料
型號(hào)： MZ0912B50Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistors
封裝： MZ0912B50Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： MZ0912B50Y
1997 Feb 18
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
MZ0912B50Y
PACKAGE OUTLINE
Fig.8 SOT443A.
Dimensions in mm.
Torque on screw: Max. 0.5 Nm.
Recommended screw: M3.
handbook, full pagewidth
MBC663
10.5
max
10.5
max
23
max
16.5
3.4
3.2
3.1
4 min
Y
X
0.5 X
0.5 X
0.5 Y
1
2
3
3.5
2.9
0.1
1.7 max
6.4
max
24 max
0.5 Y
seating plane
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
P-10-50R-0-CMC FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontroller, -40C to +125C, 20-SSOP 208mil, T/R
P-111 Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MZ0912B50Y TRAY 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ0912B50Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MZ1.0GD100V-2.5 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
MZ1.0GD10V-25 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
MZ1.0GD11V-23 制造商:MIC 制造商全稱:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:ZENER DIODE
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