參數資料
型號： MZ0912B50Y
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistors
封裝： MZ0912B50Y<SOT443A (CDFM2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT443A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數： 3/12頁
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代理商： MZ0912B50Y
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
MZ0912B50Y
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation (peak power)
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
open base
R
BE
= 0
open collector
t
p
≤
10
μ
s;
δ ≤
10%
T
mb
= 75
°
C; t
p
≤
10
μ
s;
δ ≤
10%
65
65
20
60
3
3
150
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2 Power derating curve.
t
p
= 10
μ
s;
δ
= 10%; P
tot max
= 150 W.
handbook, halfpage
50
200
0
60
120
0
Ptot
(W)
100
Tmb (
°
C)
MGL051
相關PDF資料
PDF描述
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
MZ0912B50Y NPN microwave power transistors
P-10-50R-0-CMC FLASH-Based 8-Bit CMOS Microcontroller, -40C to +125C, 20-SSOP 208mil, T/R
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P-112 Analog IC
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參數描述
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