VCC = 0 V; V
參數(shù)資料
型號(hào)： NBSG86ABAR2
廠商： ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 2/17頁(yè)
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描述： IC SMART GATE SIGE DIFF 16FCBGA
產(chǎn)品變化通告： Product Discontinuation 20/Aug/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
邏輯類型： 可配置多功能
電路數(shù)： 2
輸入數(shù)： 2
施密特觸發(fā)器輸入： 無(wú)
輸出類型： 差分
電源電壓： 2.375 V ~ 3.465 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-LBGA，F(xiàn)CBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-FCBGA（4x4）
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： NBSG86ABAR2OSDKR
NBSG86A
http://onsemi.com
10
Table 13. AC CHARACTERISTICS
VCC = 0 V; VEE = 3.465 V to 2.375 V or VCC = 2.375 V to 3.465 V; VEE = 0 V
Symbol
Characteristic
40°C
25°C
85°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
fmax
Maximum Input Clock Frequency
(See Figure 7) (Note 26)
7
8
7
8
7
8
GHz
VOUTPP Output Voltage Amplitude
fin v 7 GHz
(OLS = VCC)fin = 8 GHz
590
270
730
440
470
230
720
420
540
180
700
390
mV
tPLH,
tPHL
Propagation Delay to Output Differential
(Figure 16)
D/SEL → Q
110
160
210
115
165
215
120
170
220
ps
tSKEW
Duty Cycle Skew (Note 27)
5
15
5
15
5
15
ps
tSKEW
Channel Skew
Q → D/SEL
5
20
5
20
5
20
ps
tS
SetUp Time (Dx to SEL)
30
ps
tH
HoldUp Time (Dx to SEL)
35
ps
tJITTER
RMS Random Clock Jitter
(See Figure 7) (Note 29)
fin v 7 GHz
PeaktoPeak Data Dependent Jitter
(Note 30)
fin v 7 Gb/s
0.5
12
1.5
0.5
12
1.5
0.5
12
1.5
ps
VINPP
Input Voltage Swing/Sensitivity
(Differential Configuration) (Note 28)
75
2600
75
2600
75
2600
mV
tr
tf
Output Rise/Fall Times (20% 80%)
(Q, Q)
tr
@ 1 GHz
tf
30
17
45
35
60
65
30
17
45
35
60
65
30
17
45
35
60
65
ps
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
26.Measured using a 500 mV source, 50% duty cycle clock source. All loading with 50 W to VCC 2.0 V. Input edge rates 40 ps (20% 80%).
27.tSKEW = |tPLH tPHL| for a nominal 50% differential clock input waveform. See Figure 16.
28.VINPP (max) cannot exceed VCC VEE.
29.Additive RMS jitter with 50% duty cycle clock signal at 7 GHz.
30.Additive PeaktoPeak data dependent jitter with NRZ PRBS 2311 data rate at 7 Gb/s.
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PDF描述
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NBSG86AMAG 功能描述:IC SMART GATE SIGE DIFF 16-FCLGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Obsolescence 05/Oct/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 邏輯類型:可配置多功能 電路數(shù):2 輸入數(shù):2 施密特觸發(fā)器輸入:無(wú) 輸出類型:差分 輸出電流高，低:- 電源電壓:2.375 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-LBGA，F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-FCBGA（4x4） 包裝:帶卷 (TR)
NBSG86AMN 功能描述:邏輯門(mén) 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
NBSG86AMNG 功能描述:邏輯門(mén) 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
NBSG86AMNHTBG 功能描述:邏輯門(mén) BBG SIGE DIF SMRTGTE OUTPUT LEVEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
NBSG86AMNR2 功能描述:邏輯門(mén) 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時(shí)間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
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