V
參數(shù)資料
型號(hào)： NBVSBA024LN1TAG
廠商： ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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描述： IC VCXO LVPECL 622.08MHZ 6CLCC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： PureEdge™
類(lèi)型： VCXO
頻率： 622.08MHz
電源電壓： 2.375 V ~ 3.63 V
電流 - 電源： 90mA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 6-CLCC
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 6-CLCC（7x5）
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
其它名稱(chēng)： NBVSBA024LN1TAGOSDKR
NBVSBAXXX Series
http://onsemi.com
3
Table 4. MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Units
VDD
Positive Power Supply
GND = 0 V
4.6
V
VIN
Control Input (VC and OE)
VIN ≤ VDD + 200 mV
VIN ≥ GND 200 mV
V
Iout
LVPECL Output Current
Continuous
Surge
25
50
mA
TA
Operating Temperature Range
40 to +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
55 to +120
°C
Tsol
Wave Solder
See Figure 4
260
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
Table 5. DC CHARACTERISTICS (VDD = 2.5 V ± 5%; 3.3 V ± 10%, GND = 0 V, TA = 40°C to +85°C) (Note 3)
Symbol
Characteristic
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
IDD
Power Supply Current
90
110
mA
VIH
Input HIGH Voltage
OE
2000
VDD
mV
VIL
Input LOW Voltage
OE
GND 200
800
mV
IIH
Input HIGH Current
OE
100
+100
mA
IIL
Input LOW Current
OE
100
+100
mA
VOH
Output HIGH Voltage
VDD1195
VDD945
mV
VOL
Output LOW Voltage
VDD1945
VDD1600
mV
VOUTPP
Output Voltage Amplitude
700
mV
NOTE: Device will meet the specifications after thermal equilibrium has been established when mounted in a test socket or printed circuit
board with maintained transverse airflow greater than 500 Ifpm. Electrical parameters are guaranteed only over the declared
operating temperature range. Functional operation of the device exceeding these conditions is not implied. Device specification limit
values are applied individually under normal operating conditions and not valid simultaneously.
3. Measurement taken with outputs terminated with 50 W to VDD 2.0 V. See Figure 3.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V375A8M300BF3 CONVERTER MOD DC/DC 8V 300W
V375A3V3M200BG2 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 200W
V375A3V3M200BG CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 200W
V375A3V3M200BF3 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 200W
V375A3V3M200BF CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 200W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NBVSBA024LNHTAG 功能描述:時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 VCXO LVPECL 622.08 MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類(lèi)型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56
NBVSBA024LU1TAG 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:2.5 V/3.3 V, LVPECL Voltage-Controlled Crystal Oscillator (VCXO) PureEdge Product Series
NBVSBA026LN1TAG 功能描述:時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 VCXO LVPECL 644 MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類(lèi)型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56
NBVSBA026LNHTAG 功能描述:時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 VCXO LVPECL 644 MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類(lèi)型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56
NBVSBA026LU1TAG 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:2.5 V/3.3 V, LVPECL Voltage-Controlled Crystal Oscillator (VCXO) PureEdge Product Series
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