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型號: | NE5517DR2 |
廠商: | ON Semiconductor |
文件頁數(shù): | 8/15頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
產(chǎn)品變化通告: | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
標準包裝: | 2,500 |
放大器類型: | 跨導 |
電路數(shù): | 2 |
輸出類型: | 推挽式 |
轉(zhuǎn)換速率: | 50 V/µs |
增益帶寬積: | 2MHz |
電流 - 輸入偏壓: | 400nA |
電壓 - 輸入偏移: | 400µV |
電流 - 電源: | 2.6mA |
電流 - 輸出 / 通道: | 650µA |
電壓 - 電源,單路/雙路(±): | 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V |
工作溫度: | 0°C ~ 70°C |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商設備封裝: | 16-SOIC |
包裝: | 帶卷 (TR) |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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LTC1992HMS8 | IC AMP DIFF I/O ADJ OUT 8-MSOP |
AS168X-CB1DF040 | CIRCUIT BRKR THERMAL 4.0A 1POLE |
NE5532AD8R2 | IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC |
NE5532AD8 | IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC |
AS168X-CB1DF005 | CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE5517DR2G | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5517D-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
NE5517N | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5517NG | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5520279A | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |