參數(shù)資料
型號(hào)： NIS5112D1R2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 410K
描述： IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
功能： 電子保險(xiǎn)絲
輸入電壓： 9 V ~ 18 V
電流 - 輸出： 2A
工作溫度： -40°C ~ 175°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： NIS5112D1R2GOSCT
NIS5112
http://onsemi.com
4
Figure 2. Current Limit Adjustment
100
10
1
0
10
100
1000
R
extILimit
 (W)
I
LIMIT
_SS
I
LIMIT
_OL
140
120
40
0
100
1000
TIME (ms)
1/2 in
2
, 1 oz copper,
double sided board
T
A
 = 25癈
Figure 3. Overload vs. Shutdown Time
10000
10
1
100
80
60
20
Figure 4. Typical Application Circuit
Source
Current Limit
Enable/
Timer   GND    dV/dt
Enable
GND
+12 V
Load
NIS5112
1 mF
Enable signal is compatible
with open collector devices
as well as most families.
56 W
(Typical operating conditions: V
in
 = 12 V, R
ILimit
 = 56 W, C
dV/dt
 = 1 mF)
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PDF描述
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