| 型號(hào)： |
NP80N055PDG-E1B-AY |
| 廠商： |
Renesas Electronics America |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
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| 描述： |
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
55V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
80A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
6.6 毫歐 @ 40A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
135nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
6900pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
1.8W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-263
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
NP80N055PDG-E1B-AYDKR
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