型號: | NTB60N06T4 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
中文描述: | 60 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 10/10頁 |
文件大?。?/td> | 85K |
代理商: | NTB60N06T4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NTB60N06T4G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTP60N06 | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTP60N06G | 60 V, 60 A, N−Channel TO−220 and D2PAK |
NTB90N02 | Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
NTB90N02T4 | TV 18C 14#22D 4#8(TWINAX) PIN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NTB60N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB6410AN | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mΩ |
NTB6410ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB6410ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
NTB6411AN | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ |