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參數(shù)資料
| 型號： | NTB90N02 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
| 中文描述： | 90 A, 24 V, 0.0058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 418AA-01, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | NTB90N02 |
NTB90N02, NTP90N02
http://onsemi.com
3
10
0
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
8 V
5.2 V
6 V
0.015
0.001
0.0075
0.0025
0
50
10
1
100
1000
0.005
0
30
2
1.5
1
I
D
,
0
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
I
D
,
0
0.07
0.05
0.02
0.01
4
0
2
6
8
10
Figure 3. OnResistance versus
GateToSource Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
50
100
75
0
25
125
150
2
3
6
55
0
0.01
0.015
4
16
12
8
20
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
10
20
40
2.5
3
V
GS
= 0 V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 10 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 10 A
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
24 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
R
D
,
R
D
,
T
J
= 25
°
C
50
25
4
5
0.5
4
3.5
V
GS
= 3.0 V
4.2 V
3.2 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
4 V
4.4 V
4.6 V
5 V
0.04
0.03
0.06
60
65
70
75
80
60
90
80
100
70
4.8 V
6.5 V
9 V
0.0125
0.005
I
D
= 90 A
V
DS
= 4.5 V
0.1
0.01
T
J
= 25
°
C
85
90
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB90N02T4 | TV 18C 14#22D 4#8(TWINAX) PIN |
| NTP90N02 | Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
| NTC110 | TERMISTORY |
| NTC111 | TERMISTORY |
| NTC120 | TERMISTORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTB90N02_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts |
| NTB90N02G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB90N02T4 | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB90N02T4G | 功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTBA104 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual supply translating transceiver; auto direction sensing; 3-state |
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