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參數(shù)資料
| 型號： | NTD20P06LT4 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| 中文描述： | 15.5 A, 60 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | NTD20P06LT4 |
NTD20P06L
http://onsemi.com
6
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NTD20P06L1G
75 Units / Rail
NTD20P06LG
DPAK
(PbFree)
75 Units / Rail
NTD20P06LT4G
2500 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD20P06LT4G | Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
| NTD23N03R | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03R-1 | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03R-1G | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
| NTD23N03RG | 23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTD20P06LT4G | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD20P06LT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
| NTD22 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| NTD23N03R | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTD23N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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