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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | OP213FSZ |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 19/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP 3.4MHZ DUAL LN SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 98 |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 1.2 V/µs |
| 增益帶寬積： | 3.4MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 240nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 250µV |
| 電流 - 電源： | 3mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 40mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 4 V ~ 36 V，±2 V ~ 18 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SO |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 772 (CN2011-ZH PDF) |
OP113/OP213/OP413
Rev. F | Page 4 of 24
E Grade
F Grade
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
AUDIO PERFORMANCE
THD + Noise
VIN = 3 V rms, RL = 2 kΩ,
f = 1 kHz
0.0009
%
Voltage Noise Density
en
f = 10 Hz
9
nV/√Hz
f = 1 kHz
4.7
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.4
pA/√Hz
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
120
nV p-p
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
0.8
1.2
0.8
1.2
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
3.4
MHz
Channel Separation
VOUT = 10 V p-p
RL = 2 kΩ, f = 1 kHz
105
dB
Settling Time
tS
to 0.01%, 0 V to 10 V step
9
μs
1 Long-term offset voltage is guaranteed by a 1000 hour life test performed on three independent lots at 125°C, with an LTPD of 1.3.
2 Guaranteed specifications, based on characterization data.
@ VS = 5.0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
E Grade
F Grade
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
OP113
125
175
μV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
175
250
μV
OP213
150
300
μV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
225
375
μV
OP413
175
325
μV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
250
400
μV
Input Bias Current
IB
VCM = 0 V, VOUT = 2
300
650
nA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
750
nA
Input Offset Current
IOS
VCM = 0 V, VOUT = 2
40°C ≤ TA ≤ +85°C
50
nA
Input Voltage Range
VCM
0
4
V
Common-Mode Rejection
CMR
0 V ≤ VCM ≤ 4 V
93
106
90
dB
0 V ≤ VCM ≤ 4 V,
40°C ≤ TA ≤ +85°C
90
87
dB
Large-Signal Voltage Gain
AVO
OP113, OP213,
RL = 600 Ω, 2 kΩ,
0.01 V ≤ VOUT ≤ 3.9 V
2
V/μV
OP413, RL = 600, 2 kΩ,
0.01 V ≤ VOUT ≤ 3.9 V
1
V/μV
Long-Term Offset Voltage1
VOS
200
350
μV
Offset Voltage Drift2
VOS/T
0.2
1.0
1.5
μV/°C
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