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參數(shù)資料
| 型號： | OP705D |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN Phototransistor with Base- Emitter Resisitor(NPN 光敏晶體管，內(nèi)帶一個基極-發(fā)射極電阻,集電極電流12.0mA) |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 572K |
| 代理商： | OP705D |
Fea ures
Narrow receiving angle
Variety of sensitivity ranges
T-1 package style
Small package size for space limited
applications
Base-emitter resistor provides ambient
light protection
De scrip ion
The OP705 series devices consist of
NPN silicon phototransistors molded in
blue tinted epoxy packages. The narrow
receiving angle provides excellent on-
axis coupling. These devices are 100%
production tested using infrared light for
close correlation with Optek’s GaAs and
GaAlAs emitters.
The phototransistor has an internal base-
emitter resistor which provides protection
from low level ambient lighting
conditions. This feature is also useful
when the media being detected is semi-
transparent to infrared light in interruptive
applications.
Ab so ute Maxi mum Rat ngs
(T
A
= 25
o
C un ess oth er wise noted)
Collector- Emitter Volt age. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V
Emit er Re verse Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 mA
Col ec or DC Cur ent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 mA
Stor age and Op er at ng Tem pera ure Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . -40
o
C to +100
o
C
Lead Sol der ng Tem pera ure [1/16 inch (1.6 mm) from case for 5 sec. with sol der ng
iron] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
o
C
(1)
Power Dis si pa ion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mW
(2)
Notes:
(1) RMA flux is recommended. Duration can be extended to 10 sec. max. when flow soldering.
Max. 20 grams force may be applied to leads when soldering.
(2) Derate linearly 1.33 mW/
o
C above 25
o
C.
(3) Light source is an unfiltered GaAs LED with a peak emission wavelength of 935 nm and a
radiometric intensity level which varies less than 10% over the entire lens surface of the
phototransistor being tested.
(4) The knee point irradiance is defined as the irradiance required to increase I
C(ON)
to
50
m
A.
Typi cal Per orm ance Curves
Prod uct Bul e in OP705
March 1999
NPN Pho o ran sis
tor with Base-Emit er Resistor
Types OP705A, OP705B, OP705C, OP705D
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972) 323- 2200 Fax (972) 323- 2396
Typi cal Spec ral Re sponse
Wave ength - nm
5
Sche matic
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