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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | OP800D |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | HERMETICALLY SEALED, TO-18, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 356K |
| 代理商： | OP800D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP800WSL | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP801WSL | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管，寬接收角，集電極最小電流0.5mA,可替代OP800W和K5201系列產(chǎn)品) |
| OP801SL | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管，窄接收角，集電極最小電流0.5mA,可替代OP800和K5251系列產(chǎn)品) |
| OP800SL | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管，窄接收角，集電極最小電流0.5mA,可替代OP800和K5251系列產(chǎn)品) |
| OP803SL | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶體管，窄接收角，集電極最小電流4.0mA,可替代OP800和K5251系列產(chǎn)品) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| OP800SL | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP800WSL | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP801 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | CAN-4.7 |
| OP801SL | 功能描述:光電晶體管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| OP801W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | TO-18 |
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