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PDTA114YK,115

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  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • PDTA114YK,115
    PDTA114YK,115

    PDTA114YK,115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -
  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

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  • 1
PDTA114YK,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
PDTA114YK,115 技術(shù)參數(shù)
  • PDTA114YE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TK,135 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 1mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA115EM,315 PDTA115EMB,315 PDTA115ES,126 PDTA115ET,215 PDTA115EU,115 PDTA115TE,115 PDTA115TK,115 PDTA115TM,315 PDTA115TMB,315 PDTA115TS,126 PDTA115TT,215 PDTA115TU,115 PDTA123EE,115 PDTA123EK,115 PDTA123EM,315 PDTA123EMB,315 PDTA123ES,126 PDTA123ET,215
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