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PH-PCBA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
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  • 操作
  • PH-PCBA1
    PH-PCBA1

    PH-PCBA1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • OKI/Metcal

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
PH-PCBA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 烙鐵 115V Preheater PCBA
  • RoHS
  • 制造商
  • Weller
  • 產(chǎn)品
  • Soldering Stations
  • 類型
  • Digital, Iron, Stand, Cleaner
  • 瓦特
  • 50 W
  • 最大溫度
  • + 850 F
  • 電纜類型
  • US Cord Included
PH-PCBA1 技術(shù)參數(shù)
  • PHP9NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.7A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):959pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):88W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP79NQ08LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):73A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):157W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP45NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):105V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):47A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2930pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):47A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):43.4A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):57.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHPF19012LG2 PHPLUS PHPT60406NYX PHPT60406PYX PHPT60410NYX PHPT60410PYX PHPT60415NYX PHPT60415PYX PHPT60603NYX PHPT60603PYX PHPT60606NYX PHPT60606PYX PHPT60610NYX PHPT60610PYX PHPT61002NYCLHX PHPT61002NYCX PHPT61002PYCLHX PHPT61002PYCX
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