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PHP1-S3-S5-M-TR

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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • PHP1-S3-S5-M-TR
    PHP1-S3-S5-M-TR

    PHP1-S3-S5-M-TR

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 9888

  • CUI

  • NA

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • PHP1-S3-S5-M-TR
    PHP1-S3-S5-M-TR

    PHP1-S3-S5-M-TR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • CUI Inc.

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
PHP1-S3-S5-M-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DC-DC ISOLATED, 1 W, 3.3VDC INPU
  • 制造商
  • cui inc.
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 新產(chǎn)品
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PHP1-S3-S5-M-TR 技術(shù)參數(shù)
  • PHP1-S15-S5-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 15 VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP1-S12-S5-M-TR 功能描述:DC-DC ISOLATED, 1 W, 12 VDC INPU 制造商:cui inc. 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHP191NQ06LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7665pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP18NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:110V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP18NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:633pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:79W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP225,118 PHP225NQ04T,127 PHP23NQ11T,127 PHP27NQ11T,127 PHP28NQ15T,127 PHP29N08T,127 PHP30 PHP3055E,127 PHP30NQ15T,127 PHP32N06LT,127 PHP33NQ20T,127 PHP34NQ11T,127 PHP36N03LT,127 PHP440 PHP45N03LTA,127 PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10TA,127 PHP45NQ11T,127
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