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PMV48XP/MIR

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  • PMV48XP/MIR
    PMV48XP/MIR

    PMV48XP/MIR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • PMV48XP/MIR
    PMV48XP/MIR

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  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

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PMV48XP/MIR 技術(shù)參數(shù)
  • PMV48XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV45EN2R 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.1A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 4.1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV45EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):42 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV450ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):800mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):101pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):323mW(Ta), 554mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 900mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV42ENER 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):281pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):36 毫歐 @ 4.4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L PMV6-3R-X PMV6-4FB-2K PMV6-4F-L PMV6-4RB-2K PMV6-4R-L PMV6-4R-X PMV65ENEAR PMV6-5FB-2K PMV6-5F-L PMV6-5RB-2K PMV6-5R-L PMV6-5R-X PMV65UN,215
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