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PMV6-P10-L

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMV6-P10-L
    PMV6-P10-L

    PMV6-P10-L

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,

  • PMV6-P10-L
    PMV6-P10-L

    PMV6-P10-L

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 1900

  • Panduit

  • ROHS

  • 1322+

  • -
  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • PMV6-P10-L
    PMV6-P10-L

    PMV6-P10-L

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3620

  • Panduit

  • ROHS

  • 201305+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
PMV6-P10-L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 端子 Metric Pin Terminal vinyl insulated, 4
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 產(chǎn)品
  • Junction Box - Wire to Wire
  • 系列
  • 9826
  • 線規(guī)
  • 26-18
  • 接線柱/接頭大小
  • 絕緣
  • 顏色
  • Red
  • 型式
  • Female
  • 觸點電鍍
  • Tin over Nickel
  • 觸點材料
  • Beryllium Copper, Phosphor Bronze
  • 端接類型
  • Crimp
PMV6-P10-L 技術參數(shù)
  • PMV65XPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 2.8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):618pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 2.8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):74 毫歐 @ 2.8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UNER 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):291pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):73 毫歐 @ 2.8A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):76 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):183pF @ 10V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 PMXB120EPE PMXB120EPEZ PMXB350UPE PMXB350UPEZ PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ PMXB40UNE PMXB40UNEZ PMXB43UNE PMXB43UNEZ PMXB56EN PMXB56ENZ PMXB65ENE PMXB65ENEZ PMXB65UPEZ PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3
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