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PSMN7R5-60YLX
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT669
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PSMN7R5-60YLX
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

PSMN7R5-60YLX
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
SOT-669
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

PSMN7R5-60YLX
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室
367318
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

PSMN7R5-60YLX
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367318
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN7R5-60YLX
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
367318
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN7R5-60YLX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN7R5-60YLX
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEXPERIA
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

PSMN7R5-60YLX
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
*
18+
-
MOSFET N-CH 60V LFPA...

PSMN7R5-60YLX
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

PSMN7R5-60YLX
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
Nexperia
22+
-
原裝正品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條
1

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功能描述
MOSFET N-CH 60V LFPAK56
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
86A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
31nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
4570pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
147W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
7.5 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼
SC-100，SOT-669
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PSMN7R5-60YLX 技術(shù)參數(shù)

PSMN7R5-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tj）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:655pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R5-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:57A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:655pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R5-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 56A LL LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.4 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:921pF @ 12V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R0-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:89A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2712pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:117W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN7R0-40LS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1286pF @ 12V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN8R0-40BS,118 PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-80YLX PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R3-40YS,115 PSMN8R5-100ESFQ PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115