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參數(shù)資料
| 型號： | P0640EB |
| 英文描述： | 18LD 4MHZ 1K EPRM/128 EEPROM, -40C to +85C, 18-PDIP, TUBE |
| 中文描述： | SIDAC的| 77V V（下公報）最大| 800mA的我（縣）|對92VAR |
| 文件頁數(shù)： | 124/161頁 |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | P0640EB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁當(dāng)前第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁
Over-Voltage Protection Comparison
SIDACtor
Data Book
5 - 8
Teccor Electronics
(972) 580-7777
> 0
There are principally four different technologies used for over-voltage protection:
Gas Discharge Tubes (GDTs), Metal Oxide Varistors (MOVs), TVS diodes, and
SIDACtors. All four technologies are connected in parallel with the circuit being
protected and all exhibit a high off-state impedance when biased with a voltage less
than their respective blocking voltages.
Gas Discharge Tubes
Overview
Gas tubes are either glass or ceramic packages filled with an inert gas and capped on
each end with an electrode. When a transient voltage exceeds the DC break-down
rating of the device, the voltage differential causes the electrodes of the gas tube to
fire, resulting in an arc, which in turn ionizes the gas within the tube and provides a low
impedance path for the transient to follow. Once the transient drops below the DC
holdover voltage and current, the gas tube returns to its off-state.
Advantages
Gas tubes have high surge current and low capacitance ratings. Current ratings can be
as high as 500A for 200 impulses and capacitance ratings can be as low as 1pF with a
zero volt bias.
Restrictions
Gas tubes have a limited shelf life, their performance degrades with usage, and out of
the four devices discussed, gas tubes exhibit the slowest response time and highest
peak voltage measurement (Figure 5-3).
Applications
Because gas tubes are large and require a substantial amount of time to reach full
conduction, they are rarely used as board level components. Consequently, gas tubes
are not usually used in telecommunications applications other than station protection
modules.
Metal Oxide Varistors
Overview
Metal Oxide Varistors (MOV
’
s) are two leaded through hole components typically
shaped in the form of discs. Manufactured from sintered oxides and schematically
equivalent to two back-to-back PN junctions, MOV
’
s shunt transients by decreasing
their resistance as voltage is applied.
Advantages
Since MOV
’
s surge capabilities are determined by their physical dimensions, high
surge current ratings are available. And because MOV
’
s are clamping devices, they
can be used as transient protectors in secondary AC power line applications.
Restrictions
Like gas tubes, MOV
’
s have slow response times resulting in peak clamping voltages
which can be greater than twice the devices voltage rating (Figure 5-3). MOV
’
s also
have long term reliability and performance issues due to their tendency to fatigue, high
capacitance and limited packaging options.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P0640EBRP1 | 20LD 4MHZ 1K EPRM/128 EEPROM, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| P0640EBRP2 | 18LD 20MHZ 1K EPRM/128 EEPROM, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| P0640EC | 18LD 20MHZ 1K EPRM/128 EEPROM, -40C to +85C, 18-PDIP, TUBE |
| P0640ECRP1 | 18LD 4MHZ 1K EPRM/128 EEPROM, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, T/R |
| P0640ECRP2 | 20LD 20MHZ 1K EPRM/128 EEPROM, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, T/R |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P0640EBL | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 58V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P0640EBLAP | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 58V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P0640EBLRP1 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 58V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P0640EBLRP2 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 58V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P0640EBRP1 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 100A 58V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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