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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | P1500SCRP |
| 英文描述： | MCU CMOS 18 LD LOW PWR, 0C to +70C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| 中文描述： | SIDAC的| 180V五（公報(bào)）最大| 800mA的我（縣）|的DO - 214AA |
| 文件頁數(shù)： | 107/161頁 |
| 文件大?。?/td> | 986K |
| 代理商： | P1500SCRP |
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SIDACtor
Data Book
UL 497A
Teccor Electronics
(972) 580-7777
4 - 33
R
R
Performance Tests
Key performance tests which concern over-voltage protection of the secondary
protectors are:
1.
Impulse Voltage Measurement Test -
Secondary protectors must breakdown
within ± 25% of the manufacturers breakdown rating when tested in each
polarity with a rate of voltage rise of 100V/μs, ± 10%. It should be noted that the
manufacturer may assign separate breakdown voltage ratings for the
Breakdown Voltage Measurement Test. This requirement only applies to
secondary protectors that connect between Tip and Ring of the telephone loop.
2.
Breakdown Voltage Measurement Test -
Secondary protectors must breakdown
within ± 25% of the manufacturers breakdown rating when tested in each
polarity with a rate of voltage rise no greater than 2000V/s. The secondary
protector is to be mounted in accordance with the manufacturer
’
s installation
instructions and then subjected to the test circuit in Figure 4-16. This
requirement only applies to secondary protectors connected between Tip and
Ring or Tip/Ring and ground of the telephone loop.
3.
Over-Voltage Test -
Secondary protectors must limit current and extinguish or
open the telephone loop without loss of its over-voltage protector, indication of
fire risk, or electric shock. Upon completion of this test, samples must comply
with the dielectric voltage-withstand test.
The Over-Voltage Test is used to determine the effects on secondary protectors and is
shown in Table 4-21. Test connections are shown in Figure 4-17.
Test Compliance
Compliance with the Over-Voltage Test is determined by meeting the following criteria:
The cheesecloth indicator may not be either charred or ignited.
The wiring simulator (1.6A Type MDQ fuse or 26 AWG line cord) may not be
interrupted.
The protector will meet the applicable dielectric voltage withstand requirements
after the completion of the over-voltage tests.
Table 4-21 Over-Voltage Test
Current
(A)
40
Notes:
1. Tests L1, L2, and L5 are to be applied between Tip and ground or Ring and ground.
2. Tests L3 and L4 are applied simultaneously from both Tip and Ring to ground.
Test
Voltage
(V
RMS
)
600
Time
Connection
L1
1.5 s
(Note 1, Fig. 4-17)
L2
600
7
5 s
(Note 1, Fig. 4-17)
L3
600
2.2, 1.0, 0.5, 0.25
30 min. at each
current level
(Note 2, Fig. 4-17)
L4
200V
RMS
or just below the
breakdown voltage of the
over-voltage protection device
240
2.2A or just below the
interrupt value of the
current interrupting device
24
30 min.
(Note 2, Fig. 4-17)
L5
30 min.
(Note 1, Fig 4-17)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| P1500SD | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 1000A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1500SDL | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:gas plasma arresters-package dimensions/specifications |
| P1500SDLRP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 HIGH SURGE 140V 1000A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1500SDRP | 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 1000A 140V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| P1500STL | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱:Semikron International 功能描述:Standard silicon rectifier diodes |
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