參數(shù)資料
型號(hào)： P28F002BC-T80
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： 28F002BC 2-MBIT (256K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY
中文描述： 256K X 8 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDIP40
封裝： PLASTIC, DIP-40
文件頁(yè)數(shù)： 30/37頁(yè)
文件大小： 455K
代理商： P28F002BC-T80
28F002BC 2-MBIT BOOT BLOCK FLASH MEMORY
E
30
PRELIMINARY
Address Stable
Device and
Address Selection
V
IL
V
V
ADDRESSES (A)
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
V
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
IH
V
IL
V
RP#(P)
OL
V
PHQV
t
High Z
Valid Output
Data
Valid
Standby
AVAV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
t
GLQV
t
GLQX
t
ELQV
t
ELQX
t
AVQV
t
High Z
0578_11
Figure 12. AC Waveforms for Read Operations
Table 9. AC Characteristics: WE#
—Controlled Write Operations
(1)
28F002BC-80
28F002BC-120
Symbol
Parameter
Notes
V
CC
= 5V ± 10%
100 pF
V
CC
= 5V ± 10%
100 pF
Units
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
80
120
ns
t
PHWL
RP# Setup to WE# Going Low
215
215
ns
t
ELWL
CE# Setup to WE# Going Low
0
0
ns
t
PHHWH
Boot Block Lock Setup to WE#
Going High
6, 8
100
100
ns
t
VPWH
V
PP
Setup to WE# Going High
5, 8
100
100
ns
t
AVWH
Address Setup to WE# Going High
3
50
50
ns
t
DVWH
Data Setup to WE# Going High
4
50
50
ns
t
WLWH
WE# Pulse Width
50
50
ns
t
WHDX
Data Hold Time from WE# High
4
0
0
ns
t
WHAX
Address Hold Time from WE# High
3
0
0
ns
t
WHEH
CE# Hold Time from WE# High
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P28F512-150 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
P28F512-120 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
P3000AA61 solid state crowbar devices
P3104U solid state crowbar devices
P3203A solid state crowbar devices
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P28F010120 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
P28F010-120 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
P28F010150 制造商:INTEL 功能描述:*
P28F010-150 制造商:Intel 功能描述:
P28F010-200 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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