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參數資料
| 型號： | P4404EDG |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ( Preliminary ) |
| 中文描述： | P溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管（初步） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | P4404EDG |
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor ( Preliminary )
P4404EDG
TO-252(DPAK)
Lead-Free
NIKO-SEM
1
JAN-17-2005
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25
°
C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
UNITS
Drain-Source Voltage
V
DS
-40
V
Gate-Source Voltage
V
GS
±20
V
T
C
= 25 °C
-10
Continuous Drain Current
T
C
= 70 °C
I
D
-8
Pulsed Drain Current
1
I
DM
-32
A
T
C
= 25 °C
30
Power Dissipation
T
C
= 70 °C
P
D
20
W
Operating Junction & Storage Temperature Range
T
j
, T
stg
-55 to 150
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
THERMAL RESISTANCE RATINGS
T
L
275
°C
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Case
R
θ
J
c
4.1
°C / W
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
80
°C / W
1
Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
Duty cycle
≤
1
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C, Unless Otherwise Noted)
LIMITS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= -250
μ
A
-40
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
μ
A
-1
-1.8
-3.0
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
±250 nA
V
DS
= -32V, V
GS
= 0V
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V, T
J
= 125 °C
10
μ
A
On-State Drain Current
1
I
D(ON)
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
-32
A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -8A
57
68
Drain-Source On-State Resistance
1
R
DS(ON)
V
GS
= -10V, I
D
= -10A
38
44
m
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
R
DS(ON)
I
D
-40V
44m
-10A
G
S
D
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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