參數(shù)資料
型號: PBSS4350
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN transistor
中文描述: NPN晶體管
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代理商: PBSS4350
2001 Nov 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
50 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4350S
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated and standard footprint.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to
ambient
in free air; note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
200
100
TYP.
110
MAX.
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
= 50 V; I
E
= 0
100
50
100
90
170
290
<145
1.2
nA
μ
A
nA
V
CB
= 50 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0
V
CE
= 2 V; I
C
= 500 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 1 A; note 1
V
CE
= 2 V; I
C
= 2 A; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 50 mA
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; note 1
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; note 1
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA; note 1
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
R
CEsat
V
BEsat
equivalent on-resistance
base-emitter saturation
voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
collector capacitance
V
BEon
f
T
C
c
V
CE
= 2 V; I
C
= 1 A; note 1
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
100
1.1
30
V
MHz
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS5140D KPT 15C 14#20 1#16 PIN PLUG
PBSS5140S KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG
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PBW-1201-33 KPTC 6C 6#20 PIN RECP
PBW-1202-33 KPTC2E10-6S
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參數(shù)描述
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PBSS4350D,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350D,125 功能描述:兩極晶體管 - BJT Single NPN / PNP 50V 3A 600mW 100MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350D,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2