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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PBSS5140D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | KPT 15C 14#20 1#16 PIN PLUG |
| 中文描述： | 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-74, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | PBSS5140D |
2001 Nov 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5140D
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated and mounting pad for collector 1 cm
2
.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
272
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
50
100
100
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
=
40 V; I
C
= 0
V
CB
=
40 V; I
C
= 0; T
j
= 150
°
C
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V
I
C
=
1 mA
I
C
=
100 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1 A
I
C
=
100 mA; I
B
=
1 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
100 mA
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA; note 1
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
nA
μ
A
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
DC current gain
300
300
250
160
150
300
800
200
250
500
<500
1.1
1
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
V
MHz
R
CEsat
V
BEsat
V
BEon
f
T
equivalent on-resistance
base-emitter saturation voltage
base-emitter turn on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS5140S | KPT 15C 14#20 1#16 SKT PLUG |
| PBW-1201 | KPTC 6C 6#20 PIN RECP |
| PBW-1201-33 | KPTC 6C 6#20 PIN RECP |
| PBW-1202-33 | KPTC2E10-6S |
| PBW-1203-33 | KPTC 6C 6#20 SKT RECP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBSS5140S | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP transistor,1A TO92 PBSS5140S |
| PBSS5140S,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS5140T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| PBSS5140T T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 40V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS5140T,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 40V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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