參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F128J3C-150
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 20/72頁(yè)
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F128J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
20
Datasheet
6.2
DC Voltage Characteristics
I
CCE
V
CC
Block Erase or Clear
Block Lock-Bits Current
35
70
mA
CMOS Inputs, V
PEN
= V
CC
1,4
40
80
mA
TTL Inputs, V
PEN
= V
CC
I
CCWS
I
CCES
V
CC
Program Suspend or
Block Erase Suspend
Current
10
mA
Device is enabled (see
Table 13
)
1,5
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. These currents are valid for all product versions (packages and
speeds). Contact Intel’s Application Support Hotline or your local sales office for information about typical
specifications.
2. Includes STS.
3. CMOS inputs are either V
CC
± 0.2 V or GND ± 0.2 V. TTL inputs are either V
IL
or V
IH
.
4. Sampled, not 100% tested.
5. I
CCWS
and I
CCES
are specified with the device selected. If the device is read or written while in erase suspend
mode, the device’s current draw is I
CCR
and I
CCWS
Table 7. DC Voltage Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
Test Conditions
Notes
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
2, 6
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
+ 0.5
V
2,6
V
OL
Output Low Voltage
0.4
V
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OL
V
CCQ
= V
CCQ
Min
I
OL
1,2
0.2
V
V
OH
Output High Voltage
0.85
×
V
CCQ
V
V
CCQ
= V
Min
I
OH
= –2.5 mA
1,2
V
–
0.2
V
V
CCQ
= V
Min
I
OH
= –100 μA
V
PENLK
V
Lockout during Program,
Erase and Lock-Bit Operations
2.2
V
2,3,4,7
Table 6. DC Current Characteristics (Sheet 2 of 2)
VCCQ
2.7 - 3.6V
Test Conditions
Notes
VCC
2.7 - 3.6V
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
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PDF描述
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PC28F256J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
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PC28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
PC28F128J3D75D 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 64EZBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
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