參數(shù)資料
型號(hào): PC28F256J3C-125
廠商: INTEL CORP
元件分類: PROM
英文描述: Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述: 16M X 16 FLASH 2.7V PROM, 125 ns, PBGA64
封裝: LEAD FREE, BGA-64
文件頁數(shù): 59/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商: PC28F256J3C-125
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
59
Appendix B Flow Charts
Figure 18. Write to Buffer Flowchart
Start
Setup
- Write 0xE8
- Block Address
Check Buffer Status
- Perform read operation
- Read Ready Status on signal SR7
SR7 = 1
Word Count
- Address = block address
- Data = word count minus 1
(Valid range = 0x00 to0x1F)
Confirm
- Write 0xD0
- Block address
End
Yes
No
Yes
SR7 = 1
No
Load Buffer
- Fill write buffer up to word count
- Address = within buffer range
- Data = user data
Read Status
Register (SR)
Full Status Register
Check
(if desired)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PC28F128J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F256J3C125 S B93 制造商:Intel 功能描述:
PC28F256J3C-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3F950 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays