參數(shù)資料
型號(hào)： PC28F256J3C-150
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Memory (J3)
中文描述： 英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器（J3）
文件頁數(shù)： 35/72頁
文件大?。?/td> 905K
代理商： PC28F256J3C-150
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
35
9.2
Device Commands
When the V
PEN
voltage
≤
V
PENLK
, only read operations from the Status Register, CFI, identifier
codes, or blocks are enabled. Placing V
PENH
on V
PEN
additionally enables block erase, program,
and lock-bit configuration operations. Device operations are selected by writing specific
commands into the CUI.
Table 14, “Command Bus-Cycle Definitions” on page 35
defines these
commands.
Table 14. Command Bus-Cycle Definitions (Sheet 1 of 2)
Command
Scalable or
Basic
Command
Set
(2)
Bus
Cycles
Req’d.
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Notes
Oper
(3)
Addr
(4)
Data
(5,6)
Oper
(3)
Addr
(4)
Data
(5,6)
Read Array
SCS/BCS
1
Write
X
0xFF
1
Read Identifier Codes
SCS/BCS
≥
2
Write
X
0X90
Read
IA
ID
1,7
Read Query
SCS
≥
2
Write
X
0x98
Read
QA
QD
1
Read Status Register
SCS/BCS
2
Write
X
0x70
Read
X
SRD
1,8
Clear Status Register
SCS/BCS
1
Write
X
0x50
1
Write to Buffer
SCS/BCS
> 2
Write
BA
0xE8
Write
BA
N
1,9, 10,
11
Word/Byte Program
SCS/BCS
2
Write
X
0x40 or
0x10
Write
PA
PD
1,12,13
Block Erase
SCS/BCS
2
Write
BA
0x20
Write
BA
0xD0
1,11,12
Block Erase, Program
Suspend
SCS/BCS
1
Write
X
0xB0
1,12,14
Block Erase, Program
Resume
SCS/BCS
1
Write
X
0xD0
1,12
Configuration
SCS
2
Write
X
0xB8
Write
X
CC
1
Set Block Lock-Bit
SCS
2
Write
X
0x60
Write
BA
0x01
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC28F128J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F128J3A-115 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-125 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3C-150 Intel StrataFlash Memory (J3)
PC28F640J3A-110 Intel StrataFlash Memory (J3)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PC28F256J3F950 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MB, TURLOCK EBGA 3.0 LF - Trays
PC28F256J3F95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
PC28F256J3F95B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MX16 NOR FLASH PLASTIC PBF TBGA 3.0V - Tape and Reel
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