參數(shù)資料
型號： PC9RS08KA2FPE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 64/136頁
文件大小： 0K
描述： MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 6-VDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 490
系列： RS08
核心處理器： RS08
芯體尺寸： 8-位
速度： 10MHz
外圍設(shè)備： LVD，POR，WDT
輸入/輸出數(shù)： 2
程序存儲器容量： 2KB（2K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 63 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 6-VDFN 裸露焊盤
包裝： 托盤
配用： DEMO9RS08KA2-ND - DEMO BOARD FOR 9RS08KA2
Chapter 4 Memory
MC9RS08KA2 Series Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
33
4.7.2
Flash Control Register (FLCR)
4.8
Page Select Register (PAGESEL)
There is a 64-byte window ($00C0–$00FF) in the direct-page reserved for paging access. Programming
the page select register determines the corresponding 64-byte block on the memory map for direct-page
access. For example, when the PAGESEL register is programmed with value $08, the high page registers
($0200–$023F) can be accessed through the paging window ($00C0–$00FF) via direct addressing mode
instructions.
765
432
10
R
0
000
HVEN
MASS
0
PGM1
W
Reset
0
000
0
= Unimplemented or Reserved
Figure 4-4. Flash Control Register (FLCR)
Table 4-3. FLCR Field Descriptions
Field
Description
3
HVEN
High Voltage Enable — This read/write bit enables high voltages to the Flash array for program and erase
operations. HVEN can be set only if either PGM = 1 or MASS = 1 and the proper sequence for program or erase
is followed.
0 High voltage disabled to array.
1 High voltage enabled to array.
2
MASS
Mass Erase Control Bit — This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
0 Mass erase operation not selected.
1 Mass erase operation selected.
0
PGM1
1 When Flash security is engaged, writing to PGM bit has no effect. As a result, Flash programming is not allowed.
Program Control Bit — This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked
with the MASS bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
0 Program operation not selected.
1 Program operation selected.
765
432
10
R
AD13
AD12
AD11
AD10
AD9
AD8
AD7
AD6
W
Reset
0
000
100
0
Figure 4-5. Page Select Register (PAGESEL)
Table 4-4. PAGESEL Field Descriptions
Field
Description
7:0
AD[13:6]
Page Selector— These bits define the address line bit 6 to bit 13, which determines the 64-byte block boundary
of the memory block accessed via the direct page window. See Figure 4-6 and Table 4-5.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PC9RS08KA2DWE MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 8-SOIC
VI-B6Z-IX-F1 CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
MPC565MZP56R2 IC MPU 1M FLASH 56MHZ 388-PBGA
MPC565CZP40R2 IC MPU 1M FLASH 40MHZ 388-PBGA
MPC564MZP66R2 IC MPU 512K FLASH 66MHZ 388-PBGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PC9RS08KA2PAE 功能描述:MCU 8BIT 2KB FLASH RS08 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RS08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
PC9RS08KA8CWJ 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
PC9RS08LA8CFT 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 8K FLASH W/LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PC9RS08LA8CLF 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 8K FLASH W/LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PC9RS08LE4CWL 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-BIT 4K FLASH W/LCD RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*